Опрема за вакуумско испаравање са јоном{0}}

Опрема за вакуумско испаравање са јоном{0}}

Detalji
Систем за вакуумско испаравање са јонским{0}}потпомогнутим ионима интегрише изворе испаравања високог -вакума или електронских- извора испаравања са Кауфмановим-типом или Енд{4}}Халовим јонским извором. Бомбардовањем растућег филма јонизованим гасом (Ар или О2) током физичког таложења паре (ПВД), систем преноси кинетичку енергију на адатоме, потискујући колонасту микроструктуру и спречавајући апсорпцију влаге у оптичким и диелектричним танким филмовима.
Klasifikacija proizvoda
Опрема за танке филмове са јонским испаравањем
 
Pošalji upit
Opis
Tehničke karakteristike

Систем за вакуумско испаравање са јонским{0}}потпомогнутим ионима интегрише изворе испаравања високог -вакума или електронских- извора испаравања са Кауфмановим-типом или Енд{4}}Халовим јонским извором. Бомбардовањем растућег филма јонизованим гасом (Ар или О2) током физичког таложења паре (ПВД), систем преноси кинетичку енергију на адатоме, потискујући колонасту микроструктуру и спречавајући апсорпцију влаге у оптичким и диелектричним танким филмовима.


Направљен за интеграцију чистих просторија и континуирану производњу у више-смена, систем се креће од истраживачко-развојних отисака (комора од 300 мм) до индустријских линија велике{2}}проточности (900 мм двоструких-врата и планетарне ротације).

 

Техничке спецификације

 

Категорија параметра

Тецхницал Специфицатион

Димензије коморе

600 мм к 600 мм к 600 мм (прилагодљиво до 1200 мм)

Материјал коморе

Нерђајући челик 304Л, унутрашње површине електрополиране до Ра < 0,2 ум

Басе Прессуре

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Ултимате Прессуре

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Извори испаравања

Више{0}}џепни Е- пиштољ (6 к 15цц / 4 к 40цц) и отпорни топлотни извори

Извор јона

Крај-Халл / извор јона без мреже (напон снопа: 50-300 В, јонска струја: 0-500 мА)

Супстрат Фиктуре

Планетарни механизам ротације (0-20 РПМ) са опционим грејањем (РТ до 350 ° Ц)

Контрола дебљине филма

Кварц кристална микровага (КЦМ) са двоструком сензорском главом и ПИД контролером затворене{0}}петље

 

Кључне карактеристике


Близу-насипне густине:Повећана покретљивост површине адатома елиминише видљиву порозност филма и максимизира механичку тврдоћу.


Подешавање унутрашњег стреса:Подесива енергија јонског снопа неутралише механички стрес, спречавајући раслојавање на дебелим диелектричним слојевима.


Ниско-термичка- обрада:Згушњавање{0}}подстакнуто импулсом омогућава наношење високих{1}}превлака на температурно-осетљивим полимерним подлогама без термичке дисторзије.


Аутоматизација рецептура:ПЛЦ-контролисана вакуумска блокада и испумпавање{1}}секвенционисање којим се управља преко индустријског додирног-панела ХМИ са евидентирањем података.

 

Конфигурација вакуумског система


Фаза грубе обраде:Двостепена{0}}окретна механичка пумпа са лопатицама у комбинацији са кореном дуваљком (брзина 150 Л/с) за брзу скретницу.


Високи вакуум степен:Магнетно левитирана турбомолекуларна пумпа (1600 Л/с) подржана сувом сцролл пумпом без уља{{1}да елиминише повратни ток угљоводоника.


Криогена опција:Хладна замка течног азота и интеграција криопумпе за ниске парцијалне притиске{0}}водене паре.


Мерење вакуума:Укрштени{0}}калибрисани Пирани и мерачи са хладном катодом за-повратне информације у реалном времену од атмосфере до 10^-7 Па.

 

Компатибилност материјала за испаравање и подлоге


Материјали за испаравање
оксиди:
СиО2, ТиО2, Та2О5, Нб2О5, Ал2О3


Флуориди:МгФ2, ЛаФ3


метали:Ал, Аг, Ау, Ти, Цр


Компатибилност подлоге
Оптичке подлоге:
Стаљени силицијум, Н-БК7, силицијум, германијум и цинк селенид прозори.


Полупроводничке плочице:Силиконске и сложене полупроводничке плочице од 100 мм до 300 мм.


Полимери:ПЕТ, ПИ (полиимид) и ПММА филмови који користе ниско{0}}параметаре ИАД-а.

 

Апликације


Прецизна оптика:Анти-превлаке (АР), ласерска огледала и филтери са уским опсегом који захтевају отпорност на влагу.


микроелектроника:Металне гејт електроде, адхезиони слојеви и пасивационе баријере у амбалажи полупроводника.


Оптоелектроника:Провидни контакти од проводног оксида (ТЦО) и ОЛЕД слојеви за инкапсулацију{0}}баријера за заштиту од влаге.

 

Опције прилагођавања


Геометрија коморе:Правоугаоне или цилиндричне конструкције прилагођене зидним ограничењима чистих просторија.


Интеграција више-извора:Поставке за ко{0}}упаривање које прихватају до три Е{1}} топа и четири термална чамца.


Ин-Метролошки портови на лицу места:Прирубнички интеграциони портови за спектроскопске елипсометре или оптичке системе за надзор.


Ниво аутоматизације:Полу{0}}израда полуаутоматског истраживања или потпуно аутоматизовано руковање од{1}}касете до-вафера.

 

Протоколи за контролу и тестирање квалитета


Детекција цурења:Тестирање хелијум масеног спектрометра на свакој комори са строгим прагом одбијања од < 1 к 10^-9 Па*м^3/с.


Верификација чистоће:Скенирање анализатора резидуалног гаса (РГА) је обавило пре{0}}испоруку да би се потврдило да нема органских угљоводоника.


Систем Бурн-У:72-сатно непрекидно тестирање механичких погона, расхладних колектора и електричних блокада у сувом раду.


Документација:Сертификати о испитивању у млину материјала (МТР), електричне шеме и извештаји о фабричком пријемном тесту (ФАТ).

 

Инсталација и техничка подршка


Припрема локације:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 м^3/х), чист сув ваздух (ЦДА) и издувни гас.


Пуштање у рад:Примена сервиса на терену за механичко нивелисање, прикључење на струју, калибрацију вакуума и{0}}одјављивање рецепта.


Обука оператера:5-дневни програм на лицу места који покрива рад, превентивно одржавање, решавање проблема и безбедносне блокаде.


Резервни делови:Критични предмети за хабање (филаменти, КЦМ кристали, заптивке, турбомолекуларни лежајеви) који се налазе у регионалним складиштима.

 

Често постављана питања

 

П: Како ИАД спречава померање индекса преламања?

О: Јонско бомбардовање избацује заробљене заостале гасове и сабија раст филма до скоро-насипне густине. Ово зауставља кондензацију амбијенталне влаге након атмосферског одзрачивања, обезбеђујући нулту централну{2}}померање таласне дужине током времена.

П: Који је интервал одржавања за решетке и филаменте извора јона?

О: Крај-Халл јонски извори раде 150-200 сати процеса у зависности од реактивних гасова. Стеге за брзо отпуштање омогућавају замену компоненти за мање од 30 минута.

П: Може ли систем да управља реактивним процесима као што је ТиО2?

О: Да. Наменски високо{1}}прецизни контролори протока масе (МФЦ) убризгавају кисеоник или азот директно у комору и извор јона, обезбеђујући потпуну стехиометрију и елиминишући суб-апсорпцију суб-оксида.

 

Popularne oznake: јонска-опрема за вакуумско испаравање уз помоћ јона, Кина произвођачи, добављачи, фабрика опреме за вакуумско испаравање уз помоћ јона{1}}

Pošalji upit
Контактирајте насако имате било какво питање

Можете нас контактирати путем телефона, е-поште или онлајн обрасца испод. Наш стручњак ће вас ускоро контактирати.

Контактирајте сада!