Систем за вакуумско испаравање са јонским{0}}потпомогнутим ионима интегрише изворе испаравања високог -вакума или електронских- извора испаравања са Кауфмановим-типом или Енд{4}}Халовим јонским извором. Бомбардовањем растућег филма јонизованим гасом (Ар или О2) током физичког таложења паре (ПВД), систем преноси кинетичку енергију на адатоме, потискујући колонасту микроструктуру и спречавајући апсорпцију влаге у оптичким и диелектричним танким филмовима.
Направљен за интеграцију чистих просторија и континуирану производњу у више-смена, систем се креће од истраживачко-развојних отисака (комора од 300 мм) до индустријских линија велике{2}}проточности (900 мм двоструких-врата и планетарне ротације).
Техничке спецификације
|
Категорија параметра |
Тецхницал Специфицатион |
|
Димензије коморе |
600 мм к 600 мм к 600 мм (прилагодљиво до 1200 мм) |
|
Материјал коморе |
Нерђајући челик 304Л, унутрашње површине електрополиране до Ра < 0,2 ум |
|
Басе Прессуре |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
|
Ултимате Прессуре |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
|
Извори испаравања |
Више{0}}џепни Е- пиштољ (6 к 15цц / 4 к 40цц) и отпорни топлотни извори |
|
Извор јона |
Крај-Халл / извор јона без мреже (напон снопа: 50-300 В, јонска струја: 0-500 мА) |
|
Супстрат Фиктуре |
Планетарни механизам ротације (0-20 РПМ) са опционим грејањем (РТ до 350 ° Ц) |
|
Контрола дебљине филма |
Кварц кристална микровага (КЦМ) са двоструком сензорском главом и ПИД контролером затворене{0}}петље |
Кључне карактеристике
Близу-насипне густине:Повећана покретљивост површине адатома елиминише видљиву порозност филма и максимизира механичку тврдоћу.
Подешавање унутрашњег стреса:Подесива енергија јонског снопа неутралише механички стрес, спречавајући раслојавање на дебелим диелектричним слојевима.
Ниско-термичка- обрада:Згушњавање{0}}подстакнуто импулсом омогућава наношење високих{1}}превлака на температурно-осетљивим полимерним подлогама без термичке дисторзије.
Аутоматизација рецептура:ПЛЦ-контролисана вакуумска блокада и испумпавање{1}}секвенционисање којим се управља преко индустријског додирног-панела ХМИ са евидентирањем података.
Конфигурација вакуумског система
Фаза грубе обраде:Двостепена{0}}окретна механичка пумпа са лопатицама у комбинацији са кореном дуваљком (брзина 150 Л/с) за брзу скретницу.
Високи вакуум степен:Магнетно левитирана турбомолекуларна пумпа (1600 Л/с) подржана сувом сцролл пумпом без уља{{1}да елиминише повратни ток угљоводоника.
Криогена опција:Хладна замка течног азота и интеграција криопумпе за ниске парцијалне притиске{0}}водене паре.
Мерење вакуума:Укрштени{0}}калибрисани Пирани и мерачи са хладном катодом за-повратне информације у реалном времену од атмосфере до 10^-7 Па.
Компатибилност материјала за испаравање и подлоге
Материјали за испаравање
оксиди:СиО2, ТиО2, Та2О5, Нб2О5, Ал2О3
Флуориди:МгФ2, ЛаФ3
метали:Ал, Аг, Ау, Ти, Цр
Компатибилност подлоге
Оптичке подлоге:Стаљени силицијум, Н-БК7, силицијум, германијум и цинк селенид прозори.
Полупроводничке плочице:Силиконске и сложене полупроводничке плочице од 100 мм до 300 мм.
Полимери:ПЕТ, ПИ (полиимид) и ПММА филмови који користе ниско{0}}параметаре ИАД-а.
Апликације
Прецизна оптика:Анти-превлаке (АР), ласерска огледала и филтери са уским опсегом који захтевају отпорност на влагу.
микроелектроника:Металне гејт електроде, адхезиони слојеви и пасивационе баријере у амбалажи полупроводника.
Оптоелектроника:Провидни контакти од проводног оксида (ТЦО) и ОЛЕД слојеви за инкапсулацију{0}}баријера за заштиту од влаге.
Опције прилагођавања
Геометрија коморе:Правоугаоне или цилиндричне конструкције прилагођене зидним ограничењима чистих просторија.
Интеграција више-извора:Поставке за ко{0}}упаривање које прихватају до три Е{1}} топа и четири термална чамца.
Ин-Метролошки портови на лицу места:Прирубнички интеграциони портови за спектроскопске елипсометре или оптичке системе за надзор.
Ниво аутоматизације:Полу{0}}израда полуаутоматског истраживања или потпуно аутоматизовано руковање од{1}}касете до-вафера.
Протоколи за контролу и тестирање квалитета
Детекција цурења:Тестирање хелијум масеног спектрометра на свакој комори са строгим прагом одбијања од < 1 к 10^-9 Па*м^3/с.
Верификација чистоће:Скенирање анализатора резидуалног гаса (РГА) је обавило пре{0}}испоруку да би се потврдило да нема органских угљоводоника.
Систем Бурн-У:72-сатно непрекидно тестирање механичких погона, расхладних колектора и електричних блокада у сувом раду.
Документација:Сертификати о испитивању у млину материјала (МТР), електричне шеме и извештаји о фабричком пријемном тесту (ФАТ).
Инсталација и техничка подршка
Припрема локације:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 м^3/х), чист сув ваздух (ЦДА) и издувни гас.
Пуштање у рад:Примена сервиса на терену за механичко нивелисање, прикључење на струју, калибрацију вакуума и{0}}одјављивање рецепта.
Обука оператера:5-дневни програм на лицу места који покрива рад, превентивно одржавање, решавање проблема и безбедносне блокаде.
Резервни делови:Критични предмети за хабање (филаменти, КЦМ кристали, заптивке, турбомолекуларни лежајеви) који се налазе у регионалним складиштима.
Често постављана питања
П: Како ИАД спречава померање индекса преламања?
О: Јонско бомбардовање избацује заробљене заостале гасове и сабија раст филма до скоро-насипне густине. Ово зауставља кондензацију амбијенталне влаге након атмосферског одзрачивања, обезбеђујући нулту централну{2}}померање таласне дужине током времена.
П: Који је интервал одржавања за решетке и филаменте извора јона?
О: Крај-Халл јонски извори раде 150-200 сати процеса у зависности од реактивних гасова. Стеге за брзо отпуштање омогућавају замену компоненти за мање од 30 минута.
П: Може ли систем да управља реактивним процесима као што је ТиО2?
О: Да. Наменски високо{1}}прецизни контролори протока масе (МФЦ) убризгавају кисеоник или азот директно у комору и извор јона, обезбеђујући потпуну стехиометрију и елиминишући суб-апсорпцију суб-оксида.
Popularne oznake: јонска-опрема за вакуумско испаравање уз помоћ јона, Кина произвођачи, добављачи, фабрика опреме за вакуумско испаравање уз помоћ јона{1}}

