Опрема за нагризање плазмом танког филма

Опрема за нагризање плазмом танког филмаје најсавременије{0}}решење дизајнирано за прецизно скидање танких{1}}премаза, нудећи изузетне перформансе у модификацији површине и уклањању остатака. Користећи технологију реактивног јонског јеткања (РИЕ), ова опрема комбинује хемијске реакције и физичко бомбардовање јонима како би се постигло једнолично и контролисано уклањање филма.

• Ниска{0}}обрада на ниским температурама: Опрема за танкофилмско нагризање плазмом ради на ултра-ниским температурама, минимизирајући топлотни стрес и спречавајући деформацију подлоге. Ова карактеристика је критична за деликатне материјале као што су полимери и прецизна оптика.
• Подесива брзина гравирања: Растојање између извора јона и супстрата може да се динамички прилагођава преко ротирајуће платформе{0}}подесиве по висини, омогућавајући прецизну контролу брзине гравирања (до 30 нм/мин) како би се испунили различити захтеви процеса.
• Висока униформност: Опремљена патентираним изворима јонског снопа и напредном технологијом пражњења, опрема генерише плазму велике-густине, обезбеђујући уједначено нагризање и конзистентне резултате на подлогама пречника до 800 мм.
• Двострука{0}}функционалност: Осим уклањања филма, овај систем се може прилагодити за мултифункционалне примене, укључујући чишћење површине и пред{0}}третман за наредне процесе премаза.

ТхеМашина за чишћење плазмефункционише кроз софистицирану интеракцију физичког бомбардовања и хемијских реакција које покреће јонизовани гас (плазма). У својој сржи, систем генерише плазму применом радиофреквентне (РФ) енергије на гасно окружење ниског{1}}притиска (нпр. кисеоник, аргон или азот). Ова енергија раздваја молекуле гаса на реактивне врсте, укључујући јоне, електроне и слободне радикале, формирајући високо{5}}енергетски облак плазме.

1, генерација плазме:
Када се РФ снага (обично 13,56 МХз или 40 кХз) примени на електроде унутар вакуумске коморе, молекули гаса пролазе кроз јонизацију. Ово ствара усијано пражњење, стварајући стабилно стање плазме. Одабир процесних гасова одређује доминантни реакциони механизам: кисеоникова плазма се истиче у оксидацији органских загађивача, док аргонска плазма побољшава физичко распршивање неорганских остатака.

2, Механизам за чишћење:

• Физичко бомбардовање:Јони високе{0}}ене енергије у плазми се сударају са површинским загађивачима, разбијајући молекуларне везе и померајући честице путем преноса кинетичке енергије. Овим поступком се ефикасно уклањају честице и слабо приањајући слојеви.
• Хемијска реакција:Реактивни радикали (нпр. О⁎, ОХ⁎) ступају у интеракцију са органским загађивачима, разлажући их у испарљиве нуспроизводе (ЦО₂, Х₂О) који се евакуишу преко вакуумског система.
• Површинска активација:Истовремено, излагање плазми модификује хемију површине стварањем поларних функционалних група (-ОХ, -ЦООХ), повећавајући способност влажења и адхезију за наредне процесе.

Пре- и пост{1}}Поређење урезивања

• Претходно{0}}Граковање: Филмови на бази преосталог угљеника (нпр. ДЛЦ/та-Ц премази) или загађивачи могу да смање површинску адхезију и оптичке перформансе.
• Пост-Граковање: Постиже се нетакнута површина{0}}без загађивача, побољшавајући пријањање за следеће премазе и побољшавајући поузданост производа у индустријама као што су потрошачка електроника, оптика и обновљиви извори енергије.

• Етцхинг Гас: Ар, О₂
• Повер Суппли: 380В/50Хз, 10 кВ
• Вакуумски систем: Молекуларна пумпа са базним притиском мањим или једнаким 5,0×10⁻⁴ Па
• Прилагођавање: Величина коморе и спољне димензије могу се прилагодити потребама клијента.

• Уклањање танког{0}} филма за оптичка сочива, екране и прецизне алате.
• Површински пред{0}}третман у 3Ц електроници, медицинским уређајима и индустрији нове енергије.